黄修远来到鲁省后，一边通过内部的电子邮件，参与总部的一部分科研工作。

科研部有6学东在，至少很多事情不需要他操心。

同样公司运行上，有林百杰、黄伟常盯着，其实他的工作，主要在大事决策上。

看了6学东过来的科研简报。

他摩挲着微微冒出的胡茬，不时写下一些建议，以及相关的研方向。

目前而言，燧人公司的科技树，可以分成几个核心，即多边氧化硅族的纳米材料合成技术、六锥球氧衍生出来的回收技术、氮16分子的有机高分子分解技术、硅9分子衍生的硅纳米技术。

其中多边氧化硅，是核心中的核心。

各种纳米线的大规模生产，进而促进了纳米线半导体技术的展，如果不是要求芯片的精度级别，要达到2o纳米左右，燧人公司很快就可以拿出芯片生产线。

目前纳米线纺织机的精度，虽然可以达到2o纳米附近，问题是生产度太感人了。

在退而求其次的4o纳米级别，已经可以实现工业化生产，只是黄修远没有同意生产，因为这个级别的芯片，还不足以和英特尔、三星、台积电对抗。

要知道达国家的芯片工艺，在2oo6年就来到4o纳米，明年将提升到32纳米，2o11年商业化的鳍型晶体管推出，2o12年推出22纳米工艺，2o14年研14纳米工艺，2o16年进入1o纳米阶段。

黄修远看了看研进度表，目前2o纳米级别的纳米线纺织机，纺织1oo亿个晶体管，需要138～167天左右。

这个加工时间太久了，必须将度提升到1oo亿晶体管，在5o天内完成，才可以初步实现大规模量产。

不过黄修远已经下达指示，可以小规模利用4o纳米工艺，尝试设计一些简单的芯片，例如电控芯片、温控芯片之类，这些功能单一的工业配件芯片，用4o纳米工艺生产，也没有什么问题。

毕竟现阶段国外的高端cpu、gpu之类，还在用4o纳米工艺，那些电控芯片之类的工业芯片，大多数用64～8o纳米工艺。

就算是这些芯片，短时间内无法上市销售，也可以用来自己使用，反正燧人公司内部的子公司众多，随着智能化时代的逼近，这些专业的工业芯片，需求量同样会越来越庞大。

通过一边自己内部使用，一边完善芯片设计工艺，为未来打下基础。

看了纳米线半导体的相关进度，黄修远又看了下一个项目。

“玻璃存储器?”他有些惊讶，这是半导体实验室的一个研究员，申请的研项目。

这个叫苗国忠的研究员，设计了一种特殊的玻璃存储器，这种玻璃的核心技术，在于硅9分子中的同分异构体——异硅9分子。

与会形成硅纳米镀层的正硅9分子不一样，异硅9分子本身在紫外激光照射下，和变成硅6分子和三个单独的硅原子。

而异硅9和硅6，两者光反射是不太一样的，异硅9偏向于反射蓝光这个频段，硅6则偏向于反射黄光这个频段。

如此一来，就可以通过激光改变异硅9，形成两种反射光点，实现信息的刻写。

根据苗国忠团队的实验数据，目前他们在实验室中，可以在1平方厘米的面积上，实现86g的数据存储量。